Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFAE40
Изображение служит лишь для справки
IRFAE40
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 800V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Manufacturer Part Number：IRFAE40
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
- Risk Rank：7.55
- Part Package Code：TO-3
- Drain Current-Max (ID)：4.8 A
- Pbfree Code：No
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：2
- JESD-30 Code：O-MBFM-P2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-204AA
- Drain-source On Resistance-Max：2.3 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：19 A
- DS Breakdown Voltage-Min：800 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：550 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты