Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF8252PBF
Изображение служит лишь для справки
IRF8252PBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 116
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Supplier Device Package：8-SO
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：International Rectifier
- Power Dissipation (Max)：2.5W (Ta)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：HEXFET®
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.7mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.35V @ 100µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5305 pF @ 13 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：53 nC @ 4.5 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：25 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 116
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты