CYRS1543AV18-250GCMB

Name: Cypress Semiconductor CYRS1543AV18-250GCMB
Brand: Cypress Semiconductor
Rating: 4.7 (7 reviews)

Cypress Semiconductor
Память
-
QDR SRAM, 4MX18, 0.85ns, CMOS, CBGA165, CGA-165
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：165
Описание пакета：CGA, CGA165,11X15,50
Форма упаковки：GRID ARRAY
Количество кодовых слов：4000000
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Код эквивалентности пакета：CGA165,11X15,50
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная температура рефлоу：30
Время доступа-максимум：0.85 ns
Температура работы-Макс：125 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：CYRS1543AV18-250GCMB
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：250 MHz
Количество слов：4194304 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код пакета：CGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Cypress Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Ранг риска：5.8
Код JESD-609：e0
Код ECCN：9A515.E
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Подкатегория：SRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：225
Количество функций：1
Шаг выводов：1.27 mm
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-CBGA-X165
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
Блоки питания：1.8 V
Градация температуры：MILITARY
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：1.275 mA
Организация：4MX18
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：5.38 mm
Ширина памяти：18
Ток ожидания-макс：0.57 A
Плотность памяти：75497472 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：SEPARATE
Тип микросхемы памяти：QDR SRAM
Общий доз：300k Rad(Si) V
Ширина：21 mm
Длина：25 mm

Со склада 0

Итого $0.00000