(0)
Изображение служит лишь для справки
RN1114MFV(TPL3)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
Date Sheet
Lagernummer 30
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Число элементов на чипе：1
- Размеры：1.2 x 0.8 x 0.5mm
- Характеристика Коэффициент резистора：0.1
- Формат упаковки：VESM
- Максимальная рабочая температура：+150 °C
- Типовой входной резистор：1 kΩ
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Максимальный постоянный ток сбора：100 mA
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：150 mW
- Полярность транзистора：NPN
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：8000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Серия：RN1114MFV
- Пакетирование：MouseReel
- Тип：NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Подкатегория：Transistors
- Число контактов：3
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：NPN
- Диапазон рабочей температуры：- 65 C to + 150 C
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Ширина：0.5 mm
- Высота：1.2 mm
- Длина：1.2 mm
Со склада 30
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
