(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные C3M0015065D
Изображение служит лишь для справки
C3M0015065D
-
Cree
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET SiC, MOSFET, 15mOhm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
Date Sheet
Lagernummer 555
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Id - Непрерывный ток разряда：81 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：15 mOhms
- Усв：- 4 V, + 15 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.6 V
- Зарядная характеристика ворот：188 nC
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：416 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：30
- Время задержки отключения типичного：58 ns
- Время типичного задержки включения：22 ns
- Минимальная прямая транконductанс：42 S
- Пакетирование：Tube
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：125 ns
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Продукт：MOSFET
- Длина：16.13 mm
- Ширина：5.21 mm
- Высота：21.1 mm
Со склада 555
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
