Изображение служит лишь для справки
2N5427
- Microchip Technology
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-213AA, TO-66-2
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-213AA, TO-66-2
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:TO-66
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:80 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Максимальный постоянный ток сбора:7 A
- Распад мощности:40 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Пакетная партия производителя:1
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):7 A
- Основной номер продукта:2N5427
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-
- Серия:-
- Максимальная потеря мощности:40 W
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:40 W
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80 V
- Максимальный ток сбора:7 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 7A, 80V
- Ток - отсечка коллектора (макс):-
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:-
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):80 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80 V
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 23
Итого $0.00000