Изображение служит лишь для справки
2N6386 TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 8A 65W 40Vcbo 40Vceo 3.0A 20MHz
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- РХОС：N
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：-
- Максимальный постоянный ток сбора：-
- Распад мощности：65 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：20 MHz
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：1000
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：20000
- Пакетная партия производителя：50
- Серия：2N6386
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
- Прямоходящий ток коллектора：8 A
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты