Изображение служит лишь для справки
BCY58-VIII TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-18-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
Date Sheet
Lagernummer 36
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-18-3
- РХОС：N
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：32 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
- Максимальный постоянный ток сбора：200 mA
- Распад мощности：340 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：150 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：20 at 10 uA, 5 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：310 at 2 mA, 5 V
- Пакетная партия производителя：2000
- Торговое наименование：0
- Серия：BCY58
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：32 V
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
Со склада 36
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты