(0)
Изображение служит лишь для справки
PN3565 TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-92-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 6.0Vebo 50mA 625mW
Date Sheet
Lagernummer 28
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-92-3
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：25 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Распад мощности：625 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：240 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：150 at 1 mA, 10 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：600 at 1 mA, 10 V
- Пакетная партия производителя：2500
- Серия：PN35
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30 V
- Прямоходящий ток коллектора：50 mA
Со склада 28
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
