Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SP000928260
Изображение служит лишь для справки
SP000928260
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3
- MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-252-3
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Id - Непрерывный ток разряда：6 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：594 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
- Зарядная характеристика ворот：20 nC
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：62.5 W
- Режим канала：Enhancement
- Квалификация：AEC-Q101
- Торговое наименование：CoolMOS
- Пакетная партия производителя：2500
- Время задержки отключения типичного：40 ns
- Время типичного задержки включения：9 ns
- Партийные обозначения：IPD65R660CFDAATMA1
- Вес единицы：0.011640 oz
- Пакетирование：Reel
- Серия：CoolMOS CFDA
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：8 ns
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Высота：2.3 mm
- Длина：6.5 mm
- Ширина：6.22 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты