Изображение служит лишь для справки
BC856B-QR
- Nexperia
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236AB-3
- Bipolar Transistors - BJT BC856B-Q/SOT23/TO-236AB
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-236AB-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:TO-236AB
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:PNP
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:65 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Максимальный постоянный ток сбора:200 mA
- Распад мощности:250 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Квалификация:AEC-Q101
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:220 at 2 mA, 5 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:475 at 2 mA, 5 V
- Пакетная партия производителя:3000
- Партийные обозначения:934663646215
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100 mA
- Основной номер продукта:BC856
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:250
- Мощность - Макс:250 mW
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):15nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):65 V
- Частота перехода:100
- Частота - Переход:100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80 V
- Прямоходящий ток коллектора:100 mA
Со склада 0
Итого $0.00000