Изображение служит лишь для справки
2N5210 APP PBFREE
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-92-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW
- Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-92-3
- Пакетная партия производителя:2000
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:600 at 5 V, 100 uA
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:250 at 5 V, 1 mA
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:30 MHz
- Распад мощности:1 W
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:4.5 V
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
- Полярность транзистора:NPN
- Монтажные варианты:Through Hole
- РХОС:Details
- Пакетирование:Ammo Pack
- Серия:2N5210
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50 V
- Прямоходящий ток коллектора:50 mA
Со склада 42
Итого $0.00000