Изображение служит лишь для справки
PN5137 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-92-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 150mA 35pF
- Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-92-3
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:20 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:3 V
- Распад мощности:1 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:40 MHz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:20 at 1 V, 150 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:400 at 1 V, 150 mA
- Пакетная партия производителя:2500
- Серия:PN5137
- Пакетирование:Bulk
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
- Прямоходящий ток коллектора:500 mA
Со склада 10
Итого $0.00000