Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 23

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:D3PAK-3
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Поставщик упаковки устройства:D3Pak
  • РХОС:Details
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
  • Id - Непрерывный ток разряда:30 A
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:190 mOhms
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
  • Зарядная характеристика ворот:115 nC
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Распад мощности:415 W
  • Режим канала:Enhancement
  • Пакетная партия производителя:1
  • Вес единицы:0.218699 oz
  • Пакет:Tube
  • Основной номер продукта:APT30F50
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Mfr:Microchip Technology
  • Максимальная мощность рассеяния:415W (Tc)
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетирование:Tube
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:POWER MOS 8™
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:190mOhm @ 14A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 1mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4525 pF @ 25 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:115 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
  • Угол настройки (макс.):±30V
  • Характеристика ТРП:-

Со склада 23

Итого $0.00000