Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT30F50S
Изображение служит лишь для справки
APT30F50S
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-268View in Development Tools Selector
- Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:D3PAK-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:D3Pak
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
- Id - Непрерывный ток разряда:30 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:190 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Зарядная характеристика ворот:115 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:415 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.218699 oz
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT30F50
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния:415W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:POWER MOS 8™
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:190mOhm @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4525 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:115 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 23
Итого $0.00000