Изображение служит лишь для справки
2N696
- Atmel (Microchip Technology)
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-5-3
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- Date Sheet
Lagernummer 98
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-5-3
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:40 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:600 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:20 at 150mA, 10 VDC
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:60 at 150 mA, 10 VDC
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.451452 oz
- Пакетирование:Bulk
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
Со склада 98
Итого $0.00000