2SC4617E3HZGTLQ

Name: ROHM Semiconductor 2SC4617E3HZGTLQ
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 0.080821 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (16 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
SOT-416-3
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 50V 150mA, General Purpose Small Signal Amplifier
Date Sheet

Lagernummer 3123

1+： $0.08082
10+： $0.07625
100+： $0.07193
500+： $0.06786
1000+： $0.06402

Zwischensummenbetrag $0.08082

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：SOT-416-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：EMT3
РХОС：Details
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
Максимальный постоянный ток сбора：200 mA
Распад мощности：150 mW
Параметр частотно-уровневого продукта fT：180 MHz
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：120 at 1 mA, 6 V
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：390 at 1 mA, 6 V
Пакетная партия производителя：3000
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Максимальный коллекторный ток (Ic)：150 mA
Основной номер продукта：2SC4617
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：150 mW
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA, 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
Частота - Переход：180MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
Прямоходящий ток коллектора：150 mA

Со склада 3123

1+： $0.08082
10+： $0.07625
100+： $0.07193
500+： $0.06786
1000+： $0.06402

Итого $0.08082