Изображение служит лишь для справки






APTGF90A60T1G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SP1-12
- IGBT Modules Power Module - IGBTView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 5080
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SP1-12
- Вид крепления:Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства:SP1
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:600 V
- Распад мощности:416 W
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Максимальная рабочая температура:+ 100 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
- Монтажные варианты:Chassis Mount
- Пакетная партия производителя:50
- Вес единицы:2.821917 oz
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):110 A
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-
- Серия:-
- Конфигурация:Half Bridge
- Мощность - Макс:416 W
- Ввод:Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс):250 µA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):600 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 90A
- Тип ИGBT:NPT
- Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:4.3 nF @ 25 V
- Продукт:IGBT Silicon Modules
Со склада 5080
Итого $0.00000