Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APTGF90A60T1G

Lagernummer 5080

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SP1-12
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Поставщик упаковки устройства:SP1
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:600 V
  • Распад мощности:416 W
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 100 C
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
  • Монтажные варианты:Chassis Mount
  • Пакетная партия производителя:50
  • Вес единицы:2.821917 oz
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):110 A
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Obsolete
  • Рабочая температура:-
  • Серия:-
  • Конфигурация:Half Bridge
  • Мощность - Макс:416 W
  • Ввод:Standard
  • Ток - отсечка коллектора (макс):250 µA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):600 V
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 90A
  • Тип ИGBT:NPT
  • Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
  • Входная ёмкость (Cies) @ Vce:4.3 nF @ 25 V
  • Продукт:IGBT Silicon Modules

Со склада 5080

Итого $0.00000