2N930

Name: Microchip Technology 2N930
Brand: Microchip Technology
Rating: 5 (7 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-18-3
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Date Sheet

Lagernummer 190

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Корпус / Кейс：TO-18-3
Вид крепления：Through Hole
Покрытие контактов：Lead, Tin
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-18 (TO-206AA)
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：45 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Максимальный постоянный ток сбора：30 mA
Распад мощности：300 mW
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：0.052399 oz
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：30 mA
Основной номер продукта：2N930
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Расписание В：8541210080
Диэлектрический пробой напряжение：45 V
Количество элементов：1
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-55°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная потеря мощности：300 mW
Направленность：NPN
Конфигурация：Single
Распад мощности：300 mW
Мощность - Макс：300 mW
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45 V
Максимальный ток сбора：30 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10µA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：2nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 500µA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：45 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
Прямоходящий ток коллектора：30
Корпусировка на излучение：No

Со склада 190

Итого $0.00000