Изображение служит лишь для справки
2N2895 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-18-3
- Bipolar Transistors - BJT 120Vcbo 80Vcer 65Vceo 7.0V 500mW
- Date Sheet
Lagernummer 13
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-18-3
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:65 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Максимальный постоянный ток сбора:-
- Распад мощности:500 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:120 MHz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:10 at 10 uA, 10 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:120 at 150 mA, 10 V
- Пакетная партия производителя:2000
- Серия:2N2895
- Пакетирование:Bulk
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120 V
- Прямоходящий ток коллектора:1 A
Со склада 13
Итого $0.00000