Изображение служит лишь для справки
2N6465 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-66-2
- Bipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 40W 110Vcbo 100Vceo
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-66-2
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:100 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:-
- Максимальный постоянный ток сбора:-
- Распад мощности:40 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:5 MHz
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:15
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:150
- Пакетная партия производителя:30
- Серия:2N6465
- Пакетирование:Tube
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):110 V
- Прямоходящий ток коллектора:4 A
Со склада 0
Итого $0.00000