STD12N60M6

Name: STMicroelectronics STD12N60M6
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.5 (11 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
DPAK-3
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFETComplete Your Design
Date Sheet

Lagernummer 35

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：DPAK-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：DPAK (TO-252)
РХОС：Details
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Id - Непрерывный ток разряда：9 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：450 mOhms
Усв：- 25 V, + 25 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.75 V
Зарядная характеристика ворот：12.3 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：96 W
Режим канала：Enhancement
Торговое наименование：MDmesh
Пакетная партия производителя：2500
Время задержки отключения типичного：23.9 ns
Время типичного задержки включения：16.6 ns
Вес единицы：0.012699 oz
Прямоходящий ток вывода Id：9
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：STD12
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеяния：96W (Tc)
Состояние продукта：Active
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：96
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450mOhm @ 4.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.75V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：452 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.3 nC @ 10 V
Время подъема：6.4 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±25V
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-

Со склада 35

Итого $0.00000