Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMJD027N06CLTWG
Изображение служит лишь для справки
NVMJD027N06CLTWG
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- LFPAK-8
- MOSFET T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:LFPAK-8
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:8-LFPAK
- Пакетная партия производителя:3000
- Время задержки отключения типичного:8.2 ns
- Время типичного задержки включения:6.8 ns
- Режим канала:Enhancement
- Распад мощности:24 W
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Зарядная характеристика ворот:5 nC
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.2 V
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:41 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:21 A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Полярность транзистора:N-Channel
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:NVMJD027
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.7A (Ta), 21A (Tc)
- Mfr:onsemi
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Reel
- Серия:NVMJD027N06CL
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация:Dual
- Каналов количество:2 Channel
- Мощность - Макс:3.2W (Ta), 24W (Tc)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:27mOhm @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 13µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:335pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:5nC @ 10V
- Время подъема:6 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 0
Итого $0.00000