(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTTFSS1D1N02P1E
Изображение служит лишь для справки
NTTFSS1D1N02P1E
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- WDFN-9
- MOSFET 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Date Sheet
Lagernummer 3615
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：WDFN-9
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：9-WDFN (3.3x3.3)
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：25 V
- Id - Непрерывный ток разряда：264 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：850 uOhms
- Усв：- 16 V, + 16 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Зарядная характеристика ворот：60 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：89 W
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：146 S
- Пакетная партия производителя：3000
- Время задержки отключения типичного：34.7 ns
- Время типичного задержки включения：10.8 ns
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：NTTFSS1
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：39A (Ta), 264A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：onsemi
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 89W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：NTTFSS1D1N02P1E
- Пакетирование：Reel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.85mOhm @ 27A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 934µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4360 pF @ 13 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：60 nC @ 10 V
- Время подъема：3.4 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：25 V
- Угол настройки (макс.)：±16V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 3615
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
