(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC009NE2LSXT
Изображение служит лишь для справки
BSC009NE2LSXT
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TDSON-8
- MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TDSON-8
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：25 V
- Id - Непрерывный ток разряда：100 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Зарядная характеристика ворот：168 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：96 W
- Режим канала：Enhancement
- Квалификация：AEC-Q101
- Торговое наименование：OptiMOS
- Минимальная прямая транконductанс：85 S
- Пакетная партия производителя：5000
- Время задержки отключения типичного：48 ns
- Время типичного задержки включения：10 ns
- Партийные обозначения：SP000893362 BSC009NE2LSATMA1
- Пакетирование：Reel
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：33 ns
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Высота：1.27 mm
- Длина：5.9 mm
- Ширина：5.15 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
