(0)
Изображение служит лишь для справки
QPD1008L
-
Qorvo
-
Транзисторы - JFET
- NI-360
- RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Date Sheet
Lagernummer 2940
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：NI-360
- РХОС：Details
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：50 V
- Тепловая напряжённость разрыва управляющего источника：145 V
- Id - Непрерывный ток разряда：4 A
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 85 C
- Распад мощности：127 W
- Монтажные варианты：Screw Mount
- Кит разработки：QPD1008LPCB401
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：25
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：- 2.8 V
- Пакетирование：Tray
- Серия：QPD1008L
- Частота работы：3.2 GHz
- Конфигурация：Single
- Выводная мощность：162 W
- Тип транзистора：HEMT
- Диапазон рабочей температуры：- 40 C to + 85 C
- Увеличение：17.5 dB
Со склада 2940
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
