(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные VP0104N3-G P002
Изображение служит лишь для справки
VP0104N3-G P002
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-92-3
- MOSFET P-CH ENHANCMNT MODE MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-92-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：P-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Id - Непрерывный ток разряда：250 mA
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：15 Ohms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
- Зарядная характеристика ворот：-
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：1 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：2000
- Время задержки отключения типичного：8 ns
- Время типичного задержки включения：4 ns
- Вес единицы：0.016000 oz
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：VP0104N3-GP002
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.29
- Максимальный ток утечки (ID)：0.25 A
- Пакетирование：Reel
- Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-PBCY-T3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Время подъема：3 ns
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Тип транзистора：1 P-Channel
- Код JEDEC-95：TO-92
- Сопротивление открытого канала-макс：8 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：8 pF
- Продукт：MOSFET Small Signal
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
