(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC018NE2LSIXT
Изображение служит лишь для справки
BSC018NE2LSIXT
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TDSON-8
- MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Date Sheet
Lagernummer 41
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TDSON-8
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：25 V
- Id - Непрерывный ток разряда：100 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.5 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.2 V
- Зарядная характеристика ворот：48 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：69 W
- Режим канала：Enhancement
- Торговое наименование：OptiMOS
- Минимальная прямая транконductанс：65 S
- Пакетная партия производителя：5000
- Время задержки отключения типичного：24 ns
- Время типичного задержки включения：5.2 ns
- Партийные обозначения：SP000906030 BSC018NE2LSIATMA1
- Пакетирование：Reel
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：4.8 ns
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Высота：1.27 mm
- Длина：5.9 mm
- Ширина：5.15 mm
Со склада 41
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
