(0)
Изображение служит лишь для справки
CM200DY-24NF
-
Mitsubishi Materials U.S.A
-
Транзисторы - Модули IGBT
- -
- IGBT Modules IGBT MODULE NF-SERIES DUAL
Date Sheet
Lagernummer 120
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1200 V
- Распад мощности：1130 W
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：Screw
- Пакетная партия производителя：10
- Артикул Производителя：CM200DY-24NF
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：POWEREX INC
- Ранг риска：5.22
- Код упаковки компонента：MODULE
- Безоловая кодировка：Yes
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：7
- Код JESD-30：R-XUFM-X7
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Dual
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1130 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：200 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.5 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
- Высота (мм)：30 mm
Со склада 120
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
