(0)
Изображение служит лишь для справки
QPD1010
-
Qorvo
-
Транзисторы - JFET
- QFN-16
- RF JFET Transistors DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Date Sheet
Lagernummer 32
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：QFN-16
- РХОС：Details
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：50 V
- Тепловая напряжённость разрыва управляющего источника：145 V
- Id - Непрерывный ток разряда：400 mA
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 85 C
- Распад мощности：13.5 W
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Кит разработки：QPD1010-EVB1
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：50
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：- 2.8 V
- Партийные обозначения：1132873 1132873
- Вес единицы：0.081130 oz
- Пакетирование：Waffle
- Серия：QPD1010
- Частота работы：4 GHz
- Конфигурация：Single
- Выводная мощность：11 W
- Тип транзистора：HEMT
- Диапазон рабочей температуры：- 40 C to + 85 C
- Увеличение：24.7 dB
Со склада 32
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
