(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TSM060NB06LCZ C0G
Изображение служит лишь для справки
TSM060NB06LCZ C0G
-
Taiwan Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET 60V, 111A, Single N-Channel Power MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 4001
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- РХОС：Details
- Пакетная партия производителя：4000
- Партийные обозначения：TSM060NB06LCZ
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：TSM060
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A (Ta), 111A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 156W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：TSM060NB06LCZ
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6mOhm @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6273 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：107 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 4001
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
