Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 478
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Евро РОШ:Compliant
- ЭККН (США):EAR99
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Технология производства:AlphaMOS
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):30
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В):2.2
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):23
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА):100
- Максимальный стоковый ток (мкА):1
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):15.5@10V|6.8@4.5V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):15.5
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):1037@15V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):25000
- Время падения типового (ns):4.3
- Время подъема типового сигнала (нс):3.3
- Время задержки отключения типовая (сек):18
- Время задержки включения типового (ns):5.5
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:0.95(Max)
- Ширина пакета:5.55
- Длина корпуса:5.2
- Плата изменена:8
- Стандартное наименование упаковки:DFN
- Поставщикская упаковка:DFN EP
- Форма вывода:No Lead
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:AON6552
- Производитель:Alpha & Omega Semiconductor
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
- Ранг риска:1.71
- Состояние изделия:Active
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:8
- Конфигурация:Single Quad Drain Triple Source
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):30 A
- Канальный тип:N
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):25 W
Со склада 478
Итого $0.00000