(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFP4N85XM
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 269
- 1+： $1.30612
- 10+： $1.23219
- 100+： $1.16244
- 500+： $1.09664
- 1000+： $1.03457
Zwischensummenbetrag $1.30612
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：850
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：5.5
- Температурный диапазон работы (°C)：-55 to 150
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：3.5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：7@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：7
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：247@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：35000
- Время падения типового (ns)：20
- Время подъема типового сигнала (нс)：27
- Время задержки отключения типовая (сек)：28
- Время задержки включения типового (ns)：13
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Максимальное напряжение источника положительного затвора (В)：30
- Максимальное напряжение обратной связи диода (В)：1.4
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：16.07(Max)
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：10.36(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：OVERMOLDED TO-220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 269
- 1+： $1.30612
- 10+： $1.23219
- 100+： $1.16244
- 500+： $1.09664
- 1000+： $1.03457
Итого $1.30612
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
