(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFN210N30P3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：300
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：192
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：200
- Максимальный стоковый ток (мкА)：50
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：268@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：268
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：16200@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1500000
- Время падения типового (ns)：13
- Время подъема типового сигнала (нс)：25
- Время задержки отключения типовая (сек)：94
- Время задержки включения типового (ns)：46
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Высота корпуса：9.6(Max)
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Стандартное наименование упаковки：SOT
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Форма вывода：Screw
- Прямоходящий ток вывода Id：192A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Распад мощности：1.5kW
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
