(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXKC23N60C5
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：CoolMOS
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：23
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：60@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：60
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2800@100V
- Время падения типового (ns)：5
- Время подъема типового сигнала (нс)：5
- Время задержки отключения типовая (сек)：60
- Время задержки включения типового (ns)：10
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：16(Max)
- Ширина пакета：5(Max)
- Длина корпуса：11(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：ISOPLUS 220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
