Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:ISOPLUS-i4-PAK-5
  • Материал:Si
  • Евро РОШ:Compliant
  • ЭККН (США):EAR99
  • HTS:8541.29.00.95
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Категория:Power MOSFET
  • Технология производства:CoolMOS
  • Режим канала:Enhancement
  • Число элементов на чипе:1
  • Максимальное напряжение источника тока (В):600
  • Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
  • Максимальный непрерывный ток утечки (А):47
  • Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):150@10V
  • Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):150
  • Типовая емкость входа @ Vds (пФ):6800@100V
  • Время падения типового (ns):10
  • Время подъема типового сигнала (нс):20
  • Минимальная температура работы (°C):-55
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):150
  • Монтаж:Through Hole
  • Высота корпуса:20.88
  • Ширина пакета:5.03
  • Длина корпуса:19.91
  • Плата изменена:5
  • Tab:Tab
  • Поставщикская упаковка:ISOPLUS I4
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Зарядная характеристика ворот:150 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:45 mOhms
  • Id - Непрерывный ток разряда:47 A
  • Состояние изделия:Active
  • Технология:Si
  • Число контактов:5
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Канальный тип:N

Со склада 0

Итого $0.00000