Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 383

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Евро РОШ:Compliant
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Категория:Power MOSFET
  • Технология производства:Polar
  • Режим канала:Enhancement
  • Число элементов на чипе:1
  • Максимальное напряжение источника тока (В):1200
  • Максимальное напряжение источника транзистора (В):±30
  • Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В):4.5
  • Температурный диапазон работы (°C):150
  • Максимальный непрерывный ток утечки (А):1.4
  • Максимальный стоковый ток через затвор (нА):100
  • Максимальный стоковый ток (мкА):5
  • Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):24.8@10V
  • Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):24.8
  • Типовая зарядка канала к земле (нК):12.8
  • Характеристическое зарядное напряжение (нК):4.4
  • Типовая емкость входа @ Vds (пФ):666@25V
  • Характеристическое обратное передача ёмкость @ Vds (пФ):7.6@25V
  • Минимальное напряжение порога транзистора (В):2.5
  • Характеристическая емкость вывода (пФ):36
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):86000
  • Время падения типового (ns):29
  • Время подъема типового сигнала (нс):27
  • Время задержки отключения типовая (сек):78
  • Время задержки включения типового (ns):25
  • Минимальная температура работы (°C):-55
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):150
  • Максимальный импульсный ток утечки @ TC=25°C (А):3
  • Типовая напряжённость плато канала (В):4.75
  • Время обратной рекомпенсации типовая (нс):900
  • Максимальное напряжение обратной связи диода (В):1.5
  • Максимальное напряжение источника положительного затвора (В):30
  • Монтаж:Surface Mount
  • Поставщикская упаковка:D2PAK
  • Tab:Tab
  • Плата изменена:2
  • Длина корпуса:10.29(Max)
  • Ширина пакета:9.65(Max)
  • Высота корпуса:4.83(Max)
  • Состояние изделия:Active
  • Число контактов:3
  • Конфигурация:Single
  • Канальный тип:N

Со склада 383

Итого $0.00000