Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTA1R4N120P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 383
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ:Compliant
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Технология производства:Polar
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):1200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В):4.5
- Температурный диапазон работы (°C):150
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):1.4
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА):100
- Максимальный стоковый ток (мкА):5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):24.8@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):24.8
- Типовая зарядка канала к земле (нК):12.8
- Характеристическое зарядное напряжение (нК):4.4
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):666@25V
- Характеристическое обратное передача ёмкость @ Vds (пФ):7.6@25V
- Минимальное напряжение порога транзистора (В):2.5
- Характеристическая емкость вывода (пФ):36
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):86000
- Время падения типового (ns):29
- Время подъема типового сигнала (нс):27
- Время задержки отключения типовая (сек):78
- Время задержки включения типового (ns):25
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Максимальный импульсный ток утечки @ TC=25°C (А):3
- Типовая напряжённость плато канала (В):4.75
- Время обратной рекомпенсации типовая (нс):900
- Максимальное напряжение обратной связи диода (В):1.5
- Максимальное напряжение источника положительного затвора (В):30
- Монтаж:Surface Mount
- Поставщикская упаковка:D2PAK
- Tab:Tab
- Плата изменена:2
- Длина корпуса:10.29(Max)
- Ширина пакета:9.65(Max)
- Высота корпуса:4.83(Max)
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Канальный тип:N
Со склада 383
Итого $0.00000