(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTK32P60P
Изображение служит лишь для справки
IXTK32P60P
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.10.00.80
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：32
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：196@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：196
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：11100@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：890000
- Время падения типового (ns)：33
- Время подъема типового сигнала (нс)：27
- Время задержки отключения типовая (сек)：95
- Время задержки включения типового (ns)：37
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：890 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：196 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：350 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：32 A
- Серия：IXTK32P60
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：P
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
