(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTN8N150L
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 234
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：8
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：7.5
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：200
- Максимальный стоковый ток (мкА)：25
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：3600@20V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：250@15V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：250
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：8000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：545000
- Время падения типового (ns)：95
- Время подъема типового сигнала (нс)：18
- Время задержки отключения типовая (сек)：90
- Время задержки включения типового (ns)：36
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Канальный тип：N
Со склада 234
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
