(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP1R4N100P
Изображение служит лишь для справки
IXTP1R4N100P
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1000
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：1.4
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：17.8@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：17.8
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：450@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：63000
- Время падения типового (ns)：28
- Время подъема типового сигнала (нс)：35
- Время задержки отключения типовая (сек)：65
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：63 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：17.8 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：11 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：1.4 A
- Серия：IXTP1R4N100
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
