(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFP80N25X3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 335
- 1+： $7.49764
- 10+： $7.07325
- 100+： $6.67287
- 500+： $6.29516
- 1000+： $5.93883
Zwischensummenbetrag $7.49764
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：250
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4.5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：80
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：83@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：83
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：5430@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：390000
- Время падения типового (ns)：8
- Время подъема типового сигнала (нс)：17
- Время задержки отключения типовая (сек)：65
- Время задержки включения типового (ns)：30
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220AB
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：80A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：390W
- Канальный тип：N
Со склада 335
- 1+： $7.49764
- 10+： $7.07325
- 100+： $6.67287
- 500+： $6.29516
- 1000+： $5.93883
Итого $7.49764
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
