(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFA6N120P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 3765
- 1+： $6.98231
- 10+： $6.58709
- 100+： $6.21423
- 500+： $5.86248
- 1000+： $5.53065
Zwischensummenbetrag $6.98231
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：6
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：92@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：92
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2830@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：250000
- Время падения типового (ns)：14
- Время подъема типового сигнала (нс)：11
- Время задержки отключения типовая (сек)：60
- Время задержки включения типового (ns)：24
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：4.83(Max)
- Ширина пакета：9.4(Max)
- Длина корпуса：10.41(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-263
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Форма вывода：Gull-wing
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 3765
- 1+： $6.98231
- 10+： $6.58709
- 100+： $6.21423
- 500+： $5.86248
- 1000+： $5.53065
Итого $6.98231
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
