(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GRP-DATA-IRHG6110SCS
Изображение служит лишь для справки
GRP-DATA-IRHG6110SCS
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Not Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：4
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：0.75@P Channel|1@N Channel
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：15(Max)@12V@P Channel|11(Max)@12V@N Channel
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：335@25V@P Channel|300@25V@N Channel
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1400
- Время падения типового (ns)：51(Max)@P Channel|45(Max)@N Channel
- Время подъема типового сигнала (нс)：19(Max)@P Channel|16(Max)@N Channel
- Время задержки отключения типовая (сек)：66(Max)@P Channel|65(Max)@N Channel
- Время задержки включения типового (ns)：22(Max)@P Channel|20(Max)@N Channel
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：3.3(Max)
- Ширина пакета：7.74(Max)
- Длина корпуса：19.3(Max)
- Плата изменена：14
- Стандартное наименование упаковки：MO-036AB
- Поставщикская упаковка：MO-036AB
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：14
- Конфигурация：Quad
- Канальный тип：P|N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
