(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы AON3611_101
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：2
- Максимальное напряжение источника тока (В)：30
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：5@N Channel|6@P Channel
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：4.05@10V|2@4.5V@N Channel|9.2@10V|4.6@4.5V@P Channel
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：4.05@N Channel|9.2@P Channel
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：170@15V@N Channel|520@15V@P Channel
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：2100@N Channel|2500@P Channel
- Время падения типового (ns)：15.5@N Channel|7@P Channel
- Время подъема типового сигнала (нс)：1.5@N Channel|5.5@P Channel
- Время задержки отключения типовая (сек)：18.5@N Channel|19@P Channel
- Время задержки включения типового (ns)：4.5@N Channel|7.5@P Channel
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Конфигурация：Dual Dual Drain
- Канальный тип：N|P
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
