Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Евро РОШ:Not Compliant
  • ЭККН (США):EAR99
  • HTS:8541.29.00.95
  • СВХК:Yes
  • Превышает Порог SVHC:Yes
  • Категория:Power MOSFET
  • Режим канала:Enhancement
  • Число элементов на чипе:1
  • Максимальное напряжение источника тока (В):500
  • Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
  • Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В):4
  • Температурный диапазон работы (°C):-55 to 150
  • Максимальный непрерывный ток утечки (А):12
  • Максимальный стоковый ток через затвор (нА):100
  • Максимальный стоковый ток (мкА):25
  • Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):120(Max)@10V
  • Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):120(Max)
  • Типовая зарядка канала к земле (нК):70(Max)
  • Характеристическое зарядное напряжение (нК):19(Max)
  • Минимальное напряжение порога транзистора (В):2
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):150000
  • Время падения типового (ns):130(Max)
  • Время подъема типового сигнала (нс):190(Max)
  • Время задержки отключения типовая (сек):170(Max)
  • Время задержки включения типового (ns):35(Max)
  • Минимальная температура работы (°C):-55
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):150
  • Поставщикская температура классификация:Military
  • Максимальное напряжение источника положительного затвора (В):20
  • Максимальный импульсный ток утечки @ TC=25°C (А):48
  • Максимальное напряжение обратной связи диода (В):1.7
  • Состояние изделия:Active
  • Конфигурация:Single
  • Канальный тип:N

Со склада 0

Итого $0.00000