(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRHLUB7970Z4SCS
Изображение служит лишь для справки
IRHLUB7970Z4SCS
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Not Compliant
- ЭККН (США)：Contact Export
- HTS：8541.21.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：R7
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：60
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±10
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：0.53
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：3.6(Max)@4.5V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：167@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：570
- Время падения типового (ns)：27(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс)：22(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек)：27(Max)
- Время задержки включения типового (ns)：22(Max)
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：1.42(Max)
- Ширина пакета：2.74(Max)
- Длина корпуса：3.25(Max)
- Плата изменена：4
- Стандартное наименование упаковки：SMD
- Поставщикская упаковка：UB
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：P
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
