(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRHQ597110SCV
Изображение служит лишь для справки
IRHQ597110SCV
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- ЭККН (США)：Contact Export
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：4
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：2.8
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：11(Max)@12V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：377@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：12000
- Время падения типового (ns)：90(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс)：24(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек)：32(Max)
- Время задержки включения типового (ns)：20(Max)
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：2.41(Max)
- Ширина пакета：11.68(Max)
- Длина корпуса：11.68(Max)
- Плата изменена：28
- Стандартное наименование упаковки：LCC
- Поставщикская упаковка：LCC
- Форма вывода：No Lead
- Число контактов：28
- Конфигурация：Quad Dual Drain Dual Source
- Канальный тип：P
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
