Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Silicon
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Тип фототранзистора：Phototransistor
- Форма линзы：Domed
- Каналов на чипе：1
- Угол половины интенсивности градусы：50
- Ориентация просмотра：Top View
- Максимальная длина волны (нм)：880
- Максимальное время подъёма (нс)：10000
- Максимальное время падения (нс)：10000
- Максимальный ток света (мкА)：4800
- Максимальный ток коллектора (мА)：50
- Максимальный ток темного заряда (нА)：50
- Максимальное напряжение эмиттер-коллекторное (В)：7
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В)：35
- Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В)：0.14
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：200
- Технология производства：NPN Transistor
- Минимальная температура работы (°C)：-40
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：100
- Поставщикская температура классификация：Industrial
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9(Max)
- Плата изменена：2
- Поставщикская упаковка：T-1 3/4
- Форма вывода：Through Hole
- Состояние изделия：Unconfirmed
- Тип：Chip
- Число контактов：2
- Направленность：NPN
- Диаметр：5.9(Max)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты