Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Silicon
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.49.70.40
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Тип фототранзистора：Phototransistor
- Форма линзы：Domed
- Каналов на чипе：1
- Угол половины интенсивности градусы：70
- Ориентация просмотра：Side View
- Максимальная длина волны (нм)：850
- Максимальное время подъёма (нс)：10000
- Максимальное время падения (нс)：10000
- Максимальный ток света (мкА)：3200
- Максимальный ток коллектора (мА)：50
- Максимальный ток темного заряда (нА)：3
- Максимальное напряжение эмиттер-коллекторное (В)：7
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В)：30
- Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В)：0.15
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：100
- Технология производства：NPN Transistor
- Минимальная температура работы (°C)：-40
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：100
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：5.84(Max)
- Ширина пакета：2.54(Max)
- Длина корпуса：4.57(Max)
- Плата изменена：2
- РХОС：Compliant
- Состояние изделия：LTB
- Тип：IR Chip
- Число контактов：2
- Направленность：NPN
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты