Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:Radial
- Материал:Silicon
- Евро РОШ:Compliant
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.40.80.00
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Тип фототранзистора:Phototransistor
- Форма линзы:Domed
- Каналов на чипе:1
- Угол половины интенсивности градусы:32
- Ориентация просмотра:Top View
- Максимальная длина волны (нм):850
- Максимальное время подъёма (нс):6000
- Максимальное время падения (нс):6000
- Максимальный ток света (мкА):1900
- Максимальный ток коллектора (мА):50
- Максимальный ток темного заряда (нА):50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В):35
- Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В):0.15
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):70
- Технология производства:NPN Transistor
- Минимальная температура работы (°C):-40
- Максимальная температура эксплуатации (°C):80
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:3.6(Max)
- Ширина пакета:1.15(Max)
- Длина корпуса:2.1(Max)
- Плата изменена:2
- Поставщикская упаковка:Mini
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic):50 mA
- Mfr:OSRAM Opto (ams OSRAM)
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-40°C ~ 80°C
- Серия:-
- Состояние изделия:Obsolete
- Тип:Chip
- Ориентация:Top View
- Число контактов:2
- Направленность:NPN
- Угол обзора:32°
- Мощность - Макс:70 mW
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):32 V
- Длина волны:850nm
- Ток - Темный (Id) (Макс):50 nA
Со склада 0
Итого $0.00000