Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:Radial
  • Материал:Silicon
  • Евро РОШ:Compliant
  • ЭККН (США):EAR99
  • HTS:8541.40.80.00
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Тип фототранзистора:Phototransistor
  • Форма линзы:Domed
  • Каналов на чипе:1
  • Угол половины интенсивности градусы:32
  • Ориентация просмотра:Top View
  • Максимальная длина волны (нм):850
  • Максимальное время подъёма (нс):6000
  • Максимальное время падения (нс):6000
  • Максимальный ток света (мкА):1900
  • Максимальный ток коллектора (мА):50
  • Максимальный ток темного заряда (нА):50
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В):35
  • Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В):0.15
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):70
  • Технология производства:NPN Transistor
  • Минимальная температура работы (°C):-40
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):80
  • Монтаж:Through Hole
  • Высота корпуса:3.6(Max)
  • Ширина пакета:1.15(Max)
  • Длина корпуса:2.1(Max)
  • Плата изменена:2
  • Поставщикская упаковка:Mini
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):50 mA
  • Mfr:OSRAM Opto (ams OSRAM)
  • Состояние продукта:Obsolete
  • Рабочая температура:-40°C ~ 80°C
  • Серия:-
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Тип:Chip
  • Ориентация:Top View
  • Число контактов:2
  • Направленность:NPN
  • Угол обзора:32°
  • Мощность - Макс:70 mW
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):32 V
  • Длина волны:850nm
  • Ток - Темный (Id) (Макс):50 nA

Со склада 0

Итого $0.00000