Изображение служит лишь для справки
1N975BTR
- Microsemi
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- Unclassified
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Артикул Производителя:1N975BTR
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:O-PALF-W2
- Ранг риска:5.02
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:LONG FORM
- Максимальная мощность рассеяния:0.5 W
- Номинальный напряжений отсчета:39 V
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:INDUSTRY STANDARD
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:AXIAL
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:O-PALF-W2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:ZENER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Код JEDEC-95:DO-35
Со склада 0
Итого $0.00000